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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

SPB80P06P G 

产品描述

MOSFET P-CH 60V 80A

内部编号

173-SPB80P06P-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:14450
1000+¥11.756
最小起订量:1000
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:2127
1+¥19.0772
10+¥16.2053
100+¥12.9916
250+¥12.3079
500+¥11.3506
1000+¥9.3676
2000+¥8.6839
5000+¥8.1369
10000+¥7.7266
最小起订量:1
美国加州
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#3

数量:14674
1+¥19.8
10+¥17.15
50+¥16.86
100+¥16.7
250+¥16.53
最小起订量:1
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

SPB80P06P G产品详细规格

规格书 SPB80P06P G datasheet 规格书
SPP80P06P, SPB80P06P_G
SPB80P06P G datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 1,000
FET 型 MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 80A
Rds(最大)@ ID,VGS 23 mOhm @ 64A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 4V @ 5.5mA
栅极电荷(Qg)@ VGS 173nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 5033pF @ 25V
功率 - 最大 340W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件封装 PG-TO263-3
包装材料 Tape & Reel (TR)

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